正在阅读:5nm芯片实际表现比理论还猛 晶体管密度大幅度增加5nm芯片实际表现比理论还猛 晶体管密度大幅度增加

2020-03-24 00:15 出处:PConline原创 作者:SJ 责任编辑:yangyang9

  [PConline]外媒报道,关于5nm芯片工艺的发展有了新的进展,其晶体结构侧视图曾在一篇论文中披露。根据专业机构分析预测,台积电5nm的栅极间距为48nm,金属间距则是30nm,鳍片间距25-26nm,单元高度约为180nm,按照这个计算,台积电5nm的晶体管密度将是每平方毫米1.713亿个。

  目前尚未公布5nm工艺的具体指标,只知道采用的是大规模集成EUV极紫外光刻技术。台积电已在本月开始5nm工艺的试产,第二季度内投入规模量产,苹果A14、华为麒麟1020、AMD Zen 4等处理器都会使用它,而且消息称初期产能已经被客户完全包圆,特别是苹果占了最大头。

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  而对比7nm工艺的每平方毫米9120万个,5nm工艺晶体管密度得到大幅度提升,每平方毫米1.713亿个足足提升了88%,比当初台积电宣传的理论提升84%还要强上一些。

  当然,这目前也只是根据一些资料进行的分析和评估,最后还得看批量成品表现究竟怎么样。

  

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