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　　 【PConline 评测】三星840EVO系列SSD发布也有一段时间，我们之前评测过了840EVO 500GB及1TB容量SSD，相对于高容量版本，大众用户更关注120G 低容量版本。最近PConline评测室拿到三星840 EVO 120G，性能方面如何呢？能否克服840 120G写入性能弱的缺点？废话不多说，送上评测文章。

再续销量传奇?三星840EVO 120G SSD评测

三星840EVO 120G概况介绍：

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　　三星840EVO的外观设计与840有大不相同，保留着标志性的小方块，整体的色调变为了灰黑搭配，更能展现科技感与大众化的特点，高度抛光的倒角边缘，给人留下了“光的速度”印象。

　　在三星840EVO发布之前，三星主要有两大系列SSD，主打低端入门市场的三星840系列及主打高端市场的三星840PRO。由于三星840系列采用了3bit MLC闪存，120G及256G两款产品写入速度仅有130MB/s和250MB/s，对于一些高要求的用户显然不会满意。

　　作为三星840系列SSD的传承者，三星840EVO除了打造1TB变态级的容量外，写入性能也有颠覆性改变。据官方给出数据，三星840EVO 120G持续读取540MB/s，持续写入却高达410MB/s，4K随机读写也达到了95K/35K IOPS，性能较三星840 120G有大幅度提升。

三星840EVO 120G拆解赏析：

　　从拆解图看出，三星840 EVO 120G采用超迷你的PCB板设计，仅一颗主控，一颗缓存及两颗闪存。

　　840 EVO 120G的主控是第五代MEX主控，本质上还是三核心的Cortex-R4处理器，只不过频率从300MHz提升到400MHz，并且引入了SATA 3.1，可以支持队列TRIM指令。它还支持AES-256硬件加密，并且已将PSID加密信息印在了每块硬盘表面的标签上，可以在丢失密钥后很方便地解锁，但数据就全没了。

　　另外三星毫不吝啬地给840 EVO系列配备了大容量的LPDDR2-1066 DRAM缓存，我们所测试的120G，缓存大小为256MB。

　　三星840 EVO 120G采用3bit MLC闪存，也可以称作是TLC，Toggle 2.0标准。不过制程却从2xnm进化到1xnm,并且实现了128Gb die，因此通过8层封装技术即可实现单颗NAND颗粒128GB的容量，搭载8个这样的颗粒即可达成1TB容量！