因为在今天,生产内存模组的价格已经不完全是材料成本,可能很多人只知道CPU是由晶圆上切割下来再经过道道工序制作而成的,却不知道其实内存也是从存储颗粒在晶圆上切割下来开始的。存储颗粒切割下来之后,每个环节的测试都会增加成本,而经过完备测试的芯片价格自然不同与只经过基本测试的芯片。于是国际上的芯片价格也区分为UTT和ETT两类。对于内存模组(内存条),这也一样。
说到制作内存的晶圆,三星近日宣布其已经研发出第一款40nm DRAM芯片,该芯片有望比目前的50nm芯片在功耗上有30%的降低,并且三星暗示这将是其迈向DDR4的重要一步。相比于当前的50nm内存,三星表示新的内存将会在效率上有60%的提高且在功耗上将会有30%的降低。而更有意思的是,三星指出40nm模块的成功推出将会是通向超高性能DRAM技术如DDR4的重要一步。当然,DDR4对于我们来说非常遥远,40nm制程除了制作DDR4内存之外,三星也宣布将40nm制程技术量产2Gb容量的DDR3记忆体颗粒,全新的晶圆制程将令2Gb容量DDR3记忆体颗生产成本大幅降低,令2Gb容量颗粒加速普及化,此举将刺激PC市场装机内存容量进一步提升。 回想当年,2008年12月份是个传奇的日子,在那个月份诞生了99元2G DDR2 800内存条,即使时过境迁来到今天依然是玩家们津津乐道的话题。
说到那段传奇的时光,就不得不提及一下99元内存诞生的幕后2位功臣:由美国次贷危机与微软的新系统WINDOWS VISTA。
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本期深度话题:内存价格走势与分析
2009-10-25 02:14 出处:PConline原创 作者:IT染色体 责任编辑:quanguowei
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