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　　六、传统架构不易被应用作为背光源

　　虽然，利用奈米碳管的技术来制成背光模组所需的背光源有这么多特色，但是以目前的专利技术来看，如果应用在背光源上面，可能会出现高热， 及光效应不佳的问题。（图4）是传统奈米碳管场发射的结构，这是台湾交通大学一位教授的专利。从图1中可以发现几个问题，由于发光面跟LCD是在同一边，当电子带能量去撞击萤光粉的时候，能量在发光时候同样的会转成热能，热能会存在ANODE上，而当需要更高亮度时，在上面所残留的热会逐渐随着亮度增加而升高，就会出现过热的现象。此外，因为LCD下面，也就是接近背光模组的地方会有一些膜片，例如Polarizer等，当过热的现象持续出现， 这些膜片会因为长期处在高温的情况下，会产生裂化的现象，缩短使用寿命， 再加上这些模片不易更换，都会影响背光模组业者采用奈米碳管场发射做光源的意愿。

　　另外，由于发光源是在上面，往下所发射的光，有一部份会泄漏出来， 而这些跑出来光很难再聚集回去，原因是下面有一个Emitter的结构，这个结构上面有一个电极，电极通常都是银电极，因为电极都是深色， 所以深色会吸走部分光，而利用这样的结构应用在背光模组上，会出现许多先天上的缺失， 而这些困难也是不容易被克服。 　

▲图4：传统奈米碳管场发射结构（资料来源： 工研院电子所）

　　七、利用颠倒奈米碳管结构改善问题

　　面对这些问题， 工研院电子所将奈米碳管场发射的结构做了相当大幅度的更改，并且取得的技术专利。 早期工研院电子所进行传统奈米碳管场发射作为背光发光源实验的时候， 发现往下的亮度实际上比这个还高。 因为这个发现，电子所重新设计奈米碳管场发射的结构， 将Cathode与Anode做倒置，让原先的发光面转成在下方， 并且改变了铝膜的位置（图5）。 　

▲图5：工研院电子所改善后的奈米碳管场发射结构（资料来源： 工研院电子所）