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　　原本铝膜的位置是在萤光粉下面，改变结构后的新奈米碳管场发射面板， 铝膜变成在Anode的上方，当电子去撞击萤光粉， 光线会直接跑Anode板玻璃上面的铝膜，铝膜让光产生反射的现象。 　因为反射膜是做在萤光粉下面，也就是说电子会穿过铝的反射膜跟CRT很像， 穿过铝的反射膜时，撞击萤光粉之后发亮，萤光粉下面的铝膜会把这光往上反射， 所以可以将铝膜直接做在玻璃上， 这样就可以减少了冷阴极灯管和背光模组中所使用的一层反射膜。 　因为是下方的Emitter让电子打到萤光粉后，经果铝膜反射，光线是往反射， 使得在背光模组与LCD的接触面不会产生热的现象， 而因为电子去撞击萤光粉所出现的热会在下方， 然后在利用散热的装置将所产生的热导出背光模组。 　另外，因为奈米碳管场发射是真空的结构， 因为真空的结构不会出现传导和对流的现象，而会让所产生的热效一直存在下方， 不会往上扩散。 所以模组上方不仅是温度最低的地方，更是整个模组中光线亮度最高的地方。 　除了这些结构上变化外，工研院电子所还考虑到了每一组电子源距离的问题， 因为如果电子源过近的话， 有可能会出现两组电子源所发射的电子会同时撞击在同一点的萤光粉上面， 如此一来就会出现明暗不均匀的现象，当这样现象出现， 就必须使用扩散膜来完成光点分散的效果。 　不过，正是因为采用平面光源的目的就是期望减少膜片的使用，所以出现这样情况的话， 那就无法达到原先的目标。 　在经过实验验证后，将电子源的距离调整到最完美的状态，可以达到光面亮度的均匀， 不会让太多电子源重复打到同一点萤光粉上， 根据工研院电子所的资料是均匀度大约可以达到79％左右。

　　八、调整萤光粉　以求更适合应用于背光 　

　　因为采用了平面光源的目地是为达到降低成本的目 标，所以在奈米碳管场发射所使用的萤光粉也必须做一个调整， 以期望所发射出来的光特性，并不会和目前冷阴极灯管所发射出来的光有太大的落差。 　由于使用CRT的白色萤光粉，所出现的色温会比较高，也就是会有偏蓝的状况， 所以在萤光粉上必须重新做一个调整， 否则因为发射出来的光特性如果与原先冷阴极灯管所发出的光， 特性相差太大的话将会影响到彩色滤光片，但是，若因改变了背光光源， 期望取代冷阴极灯管而让彩色滤光片必须要随之做更动，或许会出现得不偿失的情况， 因此在萤光粉的选择上是无法沿用原先CRT的萤光粉，而必须要做一些调整或开发。 　目前大约有两个方式来开发奈米碳管场发射用的萤光粉， 第一是利用现有的RGB萤光粉来进行混色，这样获得纯白的色域会比较广， 因为大家都知道CRT里面萤光粉可以达到100％的NTSC， 而至少这样的背光萤光粉，基本上到达100％NTSC一般来说是没问题。 　另外一个方法开发新的白色萤光粉， 这样的萤光粉初期的设定目标就是期望能达到发出与冷阴极灯管相同特性的光， 所以一开始或许就必须把萤光粉的座标达到0.33、0.34左右的条件。

　　九、台湾有相当潜力投入奈米碳管开发 　

　　目前冷阴极灯管及LED技术还无法有效的满足低耗电、低表面温度要求，此外，还有冷阴极灯管的环保及LED权利金的问题， 都是需要去克服的。 但是，台湾很早就开始发展奈米碳管技术，所以专利的部分并不需要从国外去授权， 再加上奈米碳管场发射是一个真空元件， 它不需要像冷阴极灯管参进一些任何像汞蒸气或者铅的含量，及因为跟PDP的制程很像， 在尺寸方面容易大面积制造，现在全世界最大的PDP是102吋， 都可以套用原有的生产设备。

　　目前南韩三星康宁、LG电子，及日本的Dialight公司，都已经投入研发。由于奈米碳管背光模组具有低温、省电、制造成本低的优势，将会极有机会取代目前冷阴极灯管背光模组的技术之一。