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华硕ROG ARES显卡的PCB细节赏析

显卡PCB正背面

　　华硕ROG ARES显卡的PCB设计一如我们想象般如此的扎实与养眼。虽然实拍图片难以看出PCB的实际大小，但是从超越PCI-E挡板的宽度加上与PCI-E插槽的长度比较可以看出，华硕ROG ARES显卡的PCB做工与精细度绝对超越了同时代高端显卡的设计。

PCB左侧的核心显存组

右侧的核心显存组

 
背部布局了各1GB容量的显存

　　华硕ROG ARES显卡基于HD5970的单卡双RV870芯片的组合，所以PCB正面布局了两组RV870核心以及相应的显存颗粒。而且华硕ROG ARES显卡的显存规格为4GB的民用最高显存容量，所以PCB背部布局了两组各1GB容量的显存。

　　不过在布局方式上，华硕ROG ARES显卡相比HD5970进行了一定的优化。华硕ROG ARES显卡将核心显存组合布局在PCB两侧，不同于HD5970的同一侧设计。这样做就是为了将数字供电模块布局在PCB的中央，并进行两个核心的左右双向供电，这样能简化了不少供电布线的距离，有利于供电的持续稳定，减少信号的衰减。这比HD5970公版的单向供电更人性化，避免了因为单个核心供电问题而造成的超频能力不佳的现象。

控制双核心通信的桥接芯片

　　为了实现两个RV870核心的协同运行，显卡PCB中央内置了一个控制双核心通信的桥接芯片。

万能表测电压功能的触点

　　与之前我们评测的Matrix HD5870显卡一致的是，华硕ROG ARES显卡在PCB背部正上端内置了3个测电压的触点，可以通过万用表来实时监测核心的电压，这在显卡超频时是很有用的，毕竟软件的检测总会有误差的时候，硬件检测的准确程度是软件难以比拟的。不过由于S.H.E(Super Hybrid Engine)混合引擎技术在华硕ROG ARES显卡中缺失，所以并不支持显存电压的检测以及更改，这相比Martix HD5870在功能上有所逊色．

 
接口提供了电磁防护罩以及单个交火接口

 
其中一个核心与显存颗粒的特写

　　华硕ROG ARES显卡在接口与PCB的连接端内置了电磁防护罩，防止了信号受到电磁干扰的现象。此外，该卡还内置了一个交火接口，两片共19998元的华硕ROG ARES显卡交火运行肯定能让人无限臆想。

　　显卡规格方面，采用两颗RV870(Cypress)显示核心，每颗核心拥有1600个流处理单元、80个纹理单元和32个光栅处理单元。搭配GDDR5显存，组成850/4800MHz的频率，这样一来这块HD5970成为了真正的双HD5870芯片组成的双卡平台，而不是公版HD5970那样有两个相对低频的HD5850组成的双芯，其频率仅有725/4000MHz的规格。至于显存方面，由16颗现代GDDR5显存组成1GB×4/256bit×2的规格。

两组用于核心供电的数字耦合电感

显存供电部分同样为数字供电

　　显卡供电方面，由于华硕ROG ARES显卡的PCB布局进行了重新设计，所以供电布局也进行了相应调整。HD5970显卡标准化的数字供电模块同样出现在华硕ROG ARES显卡中。无疑数字供电成本会更高，但是作用是不言而喻的。数字供电采用了体积更小的数字排感、MOSFET以及Driver，可以把PCB面积控制的更小。

　　其次，数字供电性能更出色，例如它90%左右的转换效率超过了模拟供电普遍70—80%；供电更精确，GPU电压峰值幅度140mV远小于模拟供电300mV；数字供电每相电流可达40A，超过了模拟供电的30A水准；数字供电耐高温性能更好，甚至可达200度，而模拟供电MOSFET温度上限仅100度左右等等。所以对于华硕ROG ARES显卡这类用来超越极限的显卡来说，数字供电无疑是最佳选择。