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　　2．GDDR3显存的软肋

　　GDDR3的缺点在于爆发限制（Burst Limitation），尽管它相对于GDDR2已经有了很大的改善，但是下一代的GDDR4依然大有提升空间。爆发动作是指从内存中连续的地址读取有限的数据，在一个DDR设备的频率周期中，可以读取两个各长n-bit的词元。这两个数据信号必须位在内存中的相同位置（由逻辑电路寻址），稍后才能移往下一位置。

GDDR3显存芯片

　　从偶数词元地址起始的全页递增爆发读取（Full-page Increment Burst）来说是没有问题的，因为读取的第二道数据在显存中的地址仍旧和第一道数据相同。但是对由奇数词元地址起始的全页递增爆发读取来说就没有用了，因为两者的数据位置不同，也造成GDDR3设备在预读取功能上的限制。更为令人遗憾的是，GDDR3无法在显存位宽上带来直接的加倍，因此没能也就无法表现出巨大的性能优势。在SDR与GDDR1时代，内外时钟频率是相同的，但在GDDR2内存中，内部时钟变成了外部时钟的一半。以1000MHz的GDDR3为例，数据传输频率为1000MHz，外部时钟频率为1000MHz，内部时钟频率为500MHz。因为内部一次传输的数据就可供外部接口传输4次，虽然以双倍速方式传输，但数据传输频率的基准：外部时钟频率仍要是内部时钟的两倍才行。所以，当预取容量超过接口一次的传输量时，内部时钟必须降低。

　　此外，GDDR3的显存延时表现也令人无法完全满意。为了解决以往GDDR2的高延时问题，GDDR3采用了改进型的背靠背式读取，但是此时反而让写入延迟增加了，仅仅提高读取延时并不是理想的做法。现在，当GDDR3频率逐步提高时，厂商为了提高稳定性又进一步提高了延时，这对其性能表现也非常不利。

GDDR3显存还是当前的绝对主流